Новый сдвоенный полевой МОП-транзистор Toshiba для зарядки мобильных устройств

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) начала выпуск нового сдвоенного полевого МОП-транзистора с N-каналом малого сопротивления для управления питанием в мобильных устройствах. Полевой МОП-транзистор SSM6N58NU может работать в цепях высокого тока и беспроводной зарядки, используемых в смартфонах, планшетах и ноутбуках.

По мере роста емкости батарей мобильных устройств возрастает нужда в устройствах, поддерживающих повышенные токи зарядки и периодичность. Такие устройства позволили бы свести время зарядки к минимуму. SSM6N58NU отвечает этим потребностям, обладая наибольшим постоянным током стока (ID), равным 4 A, и наибольшим импульсным током стока (IDP), равным 10 A. Благодаря значительному снижению заряда затвора и емкости полевого МОП-транзистора достигается быстрое переключение.

Полевой МОП-транзистор с N-каналом обеспечивает эффективность и скорость коммутации за счет конструкции, которая минимизирует сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и входную емкость (CISS). CISS снижена до 129 пФ, тогда как RDS(on) составляет 67 миллиом при VGS, равном 4,5 В. Этим обеспечиваются низкие потери и высокое быстродействие при времени переключения в открытое состояние (ton) 26 нс и времени переключения в закрытое состояние (toff) 9 нс. Низкий заряд затвора Qg, равный 1,8 нК (при ID = 4 A), значительно сокращает рассеяние по переменному току на частоте 3 МГц, что дает возможность применения SSM6N58NU в преобразователях постоянного тока. Независимая конфигурация полевого МОП-транзистора и высокий уровень защиты от электростатического разряда, достигающий 2 кВ, также позволяют использовать транзистор в цепях защиты батарей.

SSM6N58NU поставляется в корпусе UDFN6 для поверхностного монтажа; ему требуется участок платы всего 2×2 мм при высоте корпуса всего 0,75 мм. Благодаря плоскому телу кристаллической структуры этот корпус имеет рассеиваемую мощность 2 Вт и способен выдерживать температуру канала вплоть до 150 °C.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *