Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2014 06 май

МОП-транзисторы серии 600 В Super Junction DTMOS IV-H от Toshiba

Toshiba_06_05_14

Компания Toshiba  Electronics  Europe  (TEE) представила новую серию высокоскоростных МОП-транзисторов типа Super  Junction. Линейка DTMOS  IV-H, включающая модели TK31N60X, TK39N60X и TK62N60X, создана на основе четвертого поколения серии Toshiba  600 В Super  Junction  MOSFET  DTMOS  IV.

Благодаря использованию новейшей технологии Toshiba с одним эпитаксиальным слоем серия МОП-транзисторов DTMOS  IV-H типа Super  Junction оптимально подходит для областей, где требуются высокая надежность, энергоэффективность и компактная конструкция. Эти элементы применимы в таких устройствах, как высокоэффективные переключатели источников питания для серверов и телекоммуникационных базовых станций, а также стабилизаторы напряжения для фотогальванических инверторов.

Новая серия обеспечивает высокоскоростное переключение, сохраняя низкий уровень сопротивления в открытом состоянии стандартного транзистора DTMOS IV, — и все это без потерь энергии. Это достигается благодаря уменьшению паразитной емкости между затвором и стоком (обычно значение CЗСО лежит в диапазоне от 3000 до 6500 пФ), что также способствует улучшению энергоэффективности и уменьшению размера элементов.

За счет оптимизации схемы затвора заряд затвор-сток уменьшен на 45% (обычно значение QЗ лежит в диапазоне от 65 до 135  нКл) по сравнению с обычным транзистором DTMOS IV. Новая линейка продуктов обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (максимальное значение RСИ.ОТК при  UЗИ, равном 10  В, лежит в диапазоне от 0,088 до 0,040  Ом), а благодаря использованию технологии с одним эпитаксиальным слоем при высоких температурах отмечается лишь небольшой рост сопротивления в открытом состоянии. Ток стока для устройств — от 30,8 до 61,8  А.

Новая серия DTMOS IV-H сейчас выпускается в виде модуля T0-247 с дополнительными вариантами корпуса, включая DFN 8×8 мм.