Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2013 09 окт

Радиационно-стойкие силовые транзисторы MOSFET R8 от International Rectifier

PROSOFT_09_10_13

Компания International Rectifier представила два высокоэффективных радиационно-стойких (RAD-Hard) силовых транзистора MOSFET, выполненных по технологии R8. Новинки оптимизированы для применений в регуляторах напряжения типа POL (point-of-load) космического уровня качества, размещаемых в непосредственной близости к нагрузке.

Силовые транзисторы MOSFET R8 с логическим уровнем управления используют технологию trench (канавочная), которая обеспечивает чрезвычайно низкое сопротивление канала в открытом состоянии RDS(on) 12 мОм (тип.) и значение полного заряда затвора 18 нКл (тип.).

Модель IRHLNM87Y20SCS имеет значение BVDSS 20 В и максимальное значение тока стока (ID) 17 A. Устройства доступны в новых корпусах SMD0.2 для поверхностного монтажа, которые позволяют экономить до половины площади в сравнении с моделями в корпусе SMD0.5. Также транзисторы можно приобрести в корпусе TO-39 и в виде кристалла в бескорпусном исполнении для применения в конструкциях микросхем.

Изделия полностью квалифицированы по показателям радиационной стойкости: значение суммарной поглощенной дозы составляет 300 крад (Si). Гарантировано отсутствие одиночных эффектов при воздействии протонов и ионов с пороговыми линейными потерями 81 МэВ∙см2/мг при номинальном значении напряжения VGS 12 В. В зависимости от планируемой орбиты и ожидаемой радиационной обстановки транзисторы RAD-Hard MOSFET R8 можно применять в приложениях, требующих срока активного существования 15 лет и более.

ПРОСОФТ