Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2014 27 май

Новые StrongIRFET транзисторы на 20–30 В со сверхнизким сопротивлением канала

PLATAN_27_05_14

Компания International Rectifier предлагает новые модели популярной линейки транзисторов StrongIRFET на 20–30 В для современного высокоэффективного вычислительного и коммуникационного оборудования. Среди них ведущие позиции занимает 20-В транзистор со сверхнизким сопротивлением канала в открытом состоянии — IRL6283M, выполненный в корпусе DirectFET.

Сопротивление открытого канала транзистора IRL6283M составляет всего 500 мкОм (тип.), сверхплоский корпус DirectFET Medium Can занимает на плате 300 мм2, что значительно сокращает потери на проводимость. Благодаря своим характеристикам новинки оптимальны для применения в цепях ИЛИ (ORing) и электронных предохранителях (eFuse). Транзисторы могут работать от шины 3,3, 5 или 12 В при уменьшенных на 15% потерях на токе 20 А, поэтому являются лучшей альтернативой приборам в PQFN-корпусах с одинаковым формфактором.

Как и другие приборы семейства DirectFET, IRL6283M имеют двухстороннее охлаждение для улучшения параметров теплоотдачи и беспроволочное соединение кристалла для повышения надежности изделия. Корпуса DirectFET соответствуют директиве RoHS.

В семейство транзисторов StrongIRFET также входят устройства в стандартном корпусе PQFN.