Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2011 30 июн

Чрезвычайно надежные мощные СВЧ-транзисторы XR LDMOS от NXP

Компания NXP Semiconductors N.V. представила новое семейство XR (”eXtremely Rugged” — чрезвычайно надежных) мощных СВЧ LDMOS транзисторов, предназначенных для самых требовательных инженерных решений. Высокопрочная конструкция транзисторов семейства XR обеспечивает их безотказную работу в жестких условиях, которые часто возникают при работе промышленных лазеров, при травлении металлов или сверлении бетона. Семейство XR, созданное на базе лучшей в отрасли технологии LDMOS компании NXP, способствует проникновению этой технологии в те области, где до сих пор использовались транзисторы VDMOS и биполярные транзисторы.

Чрезвычайно надежные мощные СВЧ-транзисторы XR LDMOS от NXP

Внезапные и сильные возмущения нагрузки — обычное явление для некоторых силовых СВЧ-приложений. Мощные СВЧ-транзисторы должны преодолевать их без отказа или ухудшения характеристик на протяжении многолетней интенсивной эксплуатации. Подобные возмущения воспроизводят в лабораторных условиях, создавая на стороне нагрузки вынужденные рассогласования, степень которых характеризуется коэффициентом стоячей волны по напряжению (КСВН). В большинстве приложений для базовых и вещательных станций необходимы надежные силовые СВЧ-транзисторы, выдерживающие КСВН 10:1 по всем фазам, тогда как чрезвычайно надежный транзистор BLF578XR легко переносит повторяющиеся тесты с КСВН 125:1 — это наивысший уровень, который способно измерить тестовое оборудование. Данная характеристика особенно важна для отдельных ISM-приложений, которым необходим мощный СВЧ-транзистор, прошедший тесты с КСВН более 100:1.

Новый транзистор BLF578XR является чрезвычайно надежной версией популярного мощного СВЧ-транзистора NXP BLF578, основного элемента различных широковещательных и ISM-приложений. В большинстве случаев транзистор BLF578XR можно будет легко использовать в качестве замены транзистора BLF578.

Технические характеристики транзистора BLF578XR:

  • Частотный диапазон: от 0 до 500 МГц.
  • Коэффициент усиления: 24 дБ при 225 МГц.
  • Эффективность:70% при 225 МГц.
  • КСВН: 25:1 при мощности 1200 Вт по всем фазам.
  • Пиковая выходная мощность: 1400 Вт (в импульсном режиме).
  • Улучшенные тепловые характеристики: 0,14 K/Вт.