Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2011 28 июн

Технология Gen8 LDMOS для базовых станций с интенсивным использованием полосы пропускания

Компания NXP Semiconductors представила мощные СВЧ LDMOS-транзисторы восьмого поколения (Gen8) для беспроводных базовых станций, позволяющие расширить полосу пропускания сигнала до 60 МГц и предоставляющие оптимизированную схему согласования ввода/вывода для создания широкополосных недорогих компактных мультистандартных усилителей мощности Догерти с высокой эффективностью.

Технология Gen8 LDMOS для базовых станций с интенсивным использованием полосы пропускания

В настоящее время компания NXP выпускает опытные образцы транзисторов Gen8 LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor — смещенно-диффузная МОП технология на основе кремния) для частот до 960 МГц с превосходной линейностью, высочайшей надежностью и КПД более 55% для усилителей мощности в GSM-системах с использованием множества несущих.

Поставщики беспроводных инфраструктур испытывают нарастающее давление рынка, которому требуются экономически и энергетически эффективные базовые станции, причем незамедлительно. Это давление ощущается не только в развивающихся странах, но и на более зрелых рынках. К тому же, многочисленность стандартов сотовой связи, частотных полос и требования совместного использования сетей в сельских районах еще больше усложняют ситуацию. Технология Gen8 LDMOS компании NXP призвана решить все эти проблемы и обеспечить создание многополосных и широкополосных усилителей мощности, а также базовых приемопередающих станций (BTS), поддерживающих множество режимов, с низким потреблением энергии и оптимальными затратами.

Ключевые характеристики новых изделий:

  • Силовые транзисторы Gen8 LDMOS радиочастотного диапазона имеют расширенную полосу пропускания, более высокую мощность и более высокий КПД при меньших размерах и цене.
  • У транзисторов Gen8 по сравнению с предыдущим поколением плотность мощности выше на 15%, а выход мощности — примерно на 5% (в зависимости от приложения).
  • Пиковые уровни мощности выше 500 Вт (P3dB) для ВЧ-коррекции теперь достижимы в компактном, недорогом корпусе типоразмера SOT502.
  • Расширенная полоса пропускания видео позволяет задействовать весь выделенный диапазон частот.
  • LDMOS-технология компании NXP в мощных СВЧ-транзисторах использует напряжения 28–32 В и обеспечивает рекордные рабочие частоты до 3,8 ГГц.