Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2011 08 сен

Ультракомпактное решение для управления питанием от NXP

Компания NXP Semiconductors представила устройство PBSM5240PF, которое объединяет в одном, не содержащем свинца, корпусе DFN2020-6 (SOT1118) ультракомпактный транзистор средней мощности и n-канальный полевой МОП-транзистор с вертикальным расположением затвора (Trench MOSFET). Корпус DFN2020-6 (SOT1118) размером 2×2 мм и высотой всего лишь 0,65 мм был создан с учетом мировых тенденций миниатюризации мобильных устройств.

PBSM5240PF — одно из первых на рынке решений для управления питанием, сочетающее в себе BISS-транзистор с низким напряжением насыщения VCE(sat) и полевой МОП-транзистор с вертикальным расположением затвора, экономит место на печатной плате и имеет отличные электрические характеристики.

Ультракомпактное решение для управления питанием от NXP

Размер посадочного места PBSM5240PF сокращен более чем на 50%, а высота — более чем на 10% по сравнению с традиционными решениями, которые требуют двух отдельных корпусов: для BISS-транзистора (Breakthrough in Small Signal, «прорыв в области малосигнальных устройств») и для полевого МОП-транзистора. Корпус DFN2020-6 (SOT1118) снабжен теплоотводом, благодаря чему удалось более чем на 25% улучшить тепловые характеристики устройства, увеличить токи до 2 А и снизить энергопотребление.

PBSM5240PF предназначен для зарядных цепей аккумуляторных батарей мобильных телефонов, MP3-плееров и других портативных устройств. Это решение может применяться также в переключателях нагрузки или в устройствах с батарейным питанием, которым требуются лучшие в своем классе температурные характеристики, чтобы выдерживать более высокие токи при миниатюрных размерах.

Ключевые характеристики PBSM5240PF BISS-транзистора и n-канального полевого МОП-транзистора с вертикальным расположением затвора:

  • высокий ток коллектора IC и импульсный ток коллектора ICM;
  • высокий коэффициент усиления по току (hFE) при большом токе коллектора IC;
  • высокая энергоэффективность за счет меньшего тепловыделения;
  • очень низкое напряжение насыщения «коллектор-эмиттер» (VCEsat);
  • корпус DFN2020-6 с площадью основания 2×2 мм, высвобождающий место на печатной плате.