Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2014 22 сен

Cверхбыстрые 600-В биполярные IGBT транзисторы от International Rectifier, изготовленные по технологии Trench

International Rectifier_22_09_14

Компания International Rectifier представляет серию высокопроизводительных 600-В биполярных транзисторов с изолированным затвором (IBGT) сверхбыстрого действия с технологией вертикального затвора (trench-gate). Эта новая серия износостойких и надежных полупроводниковых приборов отличается исключительно низкими потерями при переключении и в проводящем состоянии и оптимизирована для применения в сварочной аппаратуре.

Созданные по технологии особо тонких пластин и вертикального расположения затвора, что позволяет минимизировать потери на проводимость и переключение, эти приборы выполнены в одном корпусе с обратным диодом, обладающим мягкой характеристикой восстановления и низким зарядом Qrr, и обеспечивают сверхбыстрое переключение (8–30 кГц) и устойчивость к короткому замыканию в течение 5 мкс. IGBT-транзисторы, нормированные на напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, также характеризуются низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер VCE(ON) и положительным температурным коэффициентом для удобства параллельного включения.

Особенностями IGBT-транзисторов серии IR66xx являются высокая частота переключения, максимальная температура перехода 175 °C и низкий уровень электромагнитных помех для повышенной надежности, большей эффективности системы и устойчивой работы в переходном режиме.

Все приборы соответствуют требованиям директивы RoHS. На веб-сайте доступны спецификации и онлайн-инструмент для подбора IGBT-транзисторов.