Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2009 01 дек

Новый Large Can DirectFET MOSFET IRF6718

Компания International Rectifier анонсировала новое устройство — Large Can DirectFET MOSFET IRF6718 с самым низким сопротивлением открытого канала RDS(on). Новый 25-В транзистор оптимизирован для таких применений, как DC-переключатели типа активный O-Ring (силовая схема ИЛИ соединения источников питания), Hot Swap (горячая замена без отключения электропитания и прекращения работы) и E-Fuse (электронный предохранитель).

Large Can DirectFET MOSFET IRF6718

Особенностью IRF6718 является корпусирование кристалла кремния по технологии последнего поколения в новом большом корпусе Large Can DirectFET. Данная технология дала возможность получить чрезвычайно низкое значение сопротивления открытого канала RDS(on) — 0,5 мОм (типовое значение при напряжении 10 В), а также уменьшить на 60% место на печатной плате и на 85% высоту корпуса по сравнению с D2PAK.

Новая технология корпусирования кристалла позволяет изготавливать DirectFET-транзисторы со значительным уменьшением потери проводимости. Ввиду того, что отсутствует разварка кристалла и нет пластмассового корпуса, достигается максимальное соотношение «площадь кристалла / площадь корпуса» и значительно улучшается тепловая эффективность всей системы.

IRF6718 имеет улучшенную область безопасной работы (Safe Operating Area, SOA) с возможностью Hot Swap и E-Fuse. Устройство соответствует нормам RoHS.