Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2014 26 дек

Дискретные IGBT-транзисторы в новом корпусе TO-247PLUS

EFO_26_12_14

Отвечая на требования рынка об увеличении «количества» кремния в дискретных корпусах, компания Infineon выпустила новый корпус — TO-247PLUS.

Транзисторы с рабочими токами 100 и 120 А в корпусе TO-247PLUS могут быть использованы:

  • для увеличения выходной мощности существующих разработок: увеличение до 20% выходного тока Iout при замене транзистора 75 A в корпусе TO-247 на 120 A TO-247PLUS;
  • для улучшения тепловых характеристик и, следовательно, для повышения надежности срока службы системы — снижение температуры корпуса Tcase на 25% при замене транзистора 75 A в корпусе TO-247 на 100 A — в TO-247PLUS;
  • в качестве более дешевой альтернативы IGBT-модулям.

Особенности и преимущества:

  • самый высокий ток при напряжении 600 В;
  • область теплоотвода на 35% больше, что обеспечивает до 20% меньшее тепловое сопротивление Rth(jh) и на 15% лучшее отведение тепла по сравнению с корпусом TO-247;
  • большее расстояние пробоя по поверхности — 4,25 мм, что на 2 мм больше по сравнению с корпусом TO-247;
  • большая плотность мощности — увеличение тока коллектора сохраняет тепловые характеристики системы;
  • увеличенная надежность и срок службы устройства.

Области применения:

  • бесперебойные источники питания (UPS);
  • солнечная энергетика;
  • сварочное оборудование;
  • приводы;
  • кондиционеры и вентиляционное оборудование;
  • автомобили.

ЭФО