Agilent Technologies выпустила САПР ADS 2012

Компания Agilent Technologies объявила о выпуске ADS 2012, следующей версии ведущей платформы САПР для проектирования ВЧ- и СВЧ-устройств Advanced Design System (ADS).

САПР ADS 2012 обладает новыми возможностями для повышения эффективности всех поддерживаемых ею приложений, а также революционными технологиями, используемыми при создании многокристальных модулей ВЧ усилителей мощности на основе GaAs, GaN и кремния.

В САПР ADS 2012 значительно усовершенствован интерфейс пользователя — для повышения эффективности проектирования. Например, окна-закладки обеспечивают быстрый доступ к часто используемым диалоговым окнам, таким как информация о компонентах и отображение слоев топологии. Новые функции поиска компонентов и навигации по цепям упрощают работу с большими схемами, а новая утилита архивирования/разархивирования облегчает обмен схемами и проектами между разработчиками.

Кроме того, были обновлены два модуля помощи в разработке. Теперь модуль ADS Load Pull поддерживает моделирование рассогласования нагрузки для выявления чувствительности устройства или усилителя к изменению КСВ или фазы. А модуль Amplifier претерпел серьезные изменения, направленные на облегчение оценки параметров усилителя при заданной выходной мощности или при заданной компрессии усиления.

Другие передовые функции для проектирования ВЧ-усилителей в ADS 2012:

• Глубокая интеграция с САПР EMPro, позволяющая сохранять 3D ЭМ модели компонентов в библиотеку для непосредственного применения в ADS.
• Новый электротермический симулятор, основанный на встроенном в ADS полном 3D термическом симуляторе, который учитывает тепловые эффекты для повышения точности моделирования.
• Настройка электромагнитного (ЭМ) моделирования многокристальных модулей и моделирование различных технологий с помощью метода конечных элементов (FEM) для анализа ЭМ взаимодействия между ИС, соединительными проводниками, проволочными перемычками и переходными соединениями в типичных многокристальных модулях ВЧ-усилителей.
• Поддержка новой искусственной нейронной модели Agilent NeuroFET (полученной с помощью ПО моделирования устройств Agilent IC-CAP) для обеспечения более точного моделирования полевых транзисторов (например, мощных полевых транзисторов на основе GaN).