Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2016 16 мар

В Томске создадут силовые транзисторы нового поколения

Ученые Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) и АО «НПФ «Микран» работают над созданием технологии производства транзисторов нового поколения для энергоэффективной преобразовательной техники. Как сообщает пресс-служба университета, в настоящее время в научно-образовательном центре «Нанотехнологии» ТУСУР создаются экспериментальные образцы нитрид-галлиевых транзисторов, которые по своим техническим характеристикам существенно превосходят кремниевые аналоги.

Новая технология, разработанная в ТУСУР, прежде всего найдет применение в специализированных областях в составе техники, работающей в особых условиях — например, в робототехнических комплексах арктического применения или в космических аппаратах, однако в перспективе эта технология будет использоваться в сфере промышленной электроники и энергосберегающей техники, а также на предприятиях радиоэлектронной промышленности.

Широкое внедрение разрабатываемой в ТУСУР технологии позволит, с одной стороны, повысить эффективность преобразования электроэнергии, а с другой — обеспечить импортозамещение кремниевых устройств современными силовыми приборами.

Исследования в области нитрид-галлиевой технологии ведутся учеными всего мира, особенно активно такая работа проводится в США и Европе. Разработки ученых ТУСУР не уступают зарубежным аналогам, а для России этот проект, направленный в конечном итоге на создание серийной технологии, уникален.

Разработка технологии изготовления силовых коммутационных транзисторов на основе нитрида галлия для создания энергоэффективных источников вторичного электропитания выполняется в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы». Одним из конечных результатов выполнения проекта станут рекомендации по внедрению разработанной технологии в производство, которое будет выполнено на технологической базе АО «НПФ «Микран».