Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2015 08 окт

Конференция «Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния SiC и нитрида галлия GaN»

Медиагруппы «Электроника» и FineStreet, выпускающие журналы «Электронные компоненты», «Компоненты и технологии», «Силовая электроника», «Современная светотехника», «Полупроводниковая светотехника» и другие, проводят 27 октября в Москве в ГТК «Измайлово» конференцию, посвященную силовым приборам на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN). На конференции будут рассмотрены вопросы разработки и производства таких полупроводниковых приборов и их использование в силовых каскадах различной топологии, а также схемотехника преобразователей с этими приборами.

К участию приглашаются специалисты в данной области.

Помимо российских компаний, работающих с этими устройствами, конференцию посетят и представители зарубежных компаний, в чьей продуктовой линейке подобные решения уже давно заняли свое место. Ожидается участие таких компаний, как Cree, Mitsubishi Electric, STMicroelectronics, SEMIKRON.

09:30–10:00 Регистрация
10:10–10:40 Разработка и производство отечественных эпитаксиальных структур карбида кремния высокого качества Гейфман Евгений Моисеевич, зам. генерального директора, ОАО «Электровыпрямитель»
10:40–11:20 Создание омических контактов к 4Н SiC Черных Максим Игоревич, инженер-технолог, ОАО «НИИЭТ»
11:20–11:40 Кофе-брейк
11:40–12:20 Отечественные диоды Шоттки на основе карбида кремния. Опыт разработки и внедрения Брюхно Николай Александрович, ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ», начальник отдела перспективных технологий
12:20–13:20 Разработка отечественной технологии производства силовых коммутационных транзисторов на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия и карбида кремния для создания энергоэффективной преобразовательной техники нового поколения Ерофеев Евгений Викторовичm, к.т.н., начальник лаборатории усилительных МИС НПК «Микроэлектроника», ЗАО «НПФ Микран»
13:20–13:40 Кофе-брейк
13:40–14:20 Полевые транзисторы на нитридах A3/B5: достижения, проблемы и перспективы Федоров Юрий Владимирович, главный конструктор-зам.директора по НИОКР, Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН
14:20–15:00 Карбидокремниевые силовые ключи, диоды Шоттки и модули фирмы Wolfspeed (a CREE company) Лебедев Андрей, продукт-менеджер Макро Групп
15:00–16:00 Обед

Для участия в конференции необходимо заполнить заявку или связаться с организаторами мероприятия:

  • Контактное лицо — Михаил Симаков
  • Тел.: 8 (495)-741-77-01, 8 (915)-099-27-04
  • e-mail: mvs@elcp.ru.

Заявки на участие в конференции принимаются до 23 октября 2015 года. В заявке следует указать название компании, ФИО, должность, телефон, факс и e-mail (для получения ссылки на итоговые материалы), а также веб-cайт компании.

Узнать подробности о проведении мероприятия и условиях участия можно у организаторов.