Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2014 №1

GaN-транзистор Integra Technologies с выходной мощностью 1 кВт для радарных применений S‑диапазона

Баталья Брайан Д. (Battaglia, Brian D.)  
Боуери Фоад (Fouad Boueri)  
Уолкер Джон (John Walker)  
Фармикоун Габриэль (Gabriele Formicone)  

Перевод: Дидилев Станислав


В статье рассматриваются особенности применения и конструкция нитрид-галлиевого (GaN) транзистора с выходной мощностью 1 кВт, предназначенного для использования в радарах S‑диапазона. На данный момент это один из самых мощных приборов, работающих в этом частотном диапазоне. Создание подобного транзистора является существенным шагом вперед, поскольку его рабочие характеристики значительно превосходят достигнутые ранее у других транзисторов сходного назначения.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Компоненты и технологии» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

Другие статьи по данной теме:

Сообщить об ошибке