Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2013 №5

Мощные радиочастотные MOSFET компании ST Microelectronics

Дьяконов Владимир


Радиочастотные полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) были первыми мощными полевыми транзисторами с рассеиваемой мощностью в единицы-десятки Вт. Появлению этих транзисторов способствовало развитие средств связи для различных подвижных объектов — танков, бронемашин, самолетов и вертолетов. Их скопление на поле боя и военных учений делало связь между ними невозможной из-за сильных взаимных помех при построении радиопередающих устройств на биполярных транзисторах.
Полевые транзисторы, особенно типа MOSFET, имеют существенно меньший уровень нелинейных искажений, особенно интермодуляционных, и позволяют создавать радиопередающие устройства с чистым спектром излучаемых сигналов. В статье описаны мощные радиочастотные (ВЧ и СВЧ) MOSFET ведущей в их разработке и производстве компании ST Microelectronics. Чтобы не затруднять читателям чтение документации по приборам, в статье использованы фирменные названия параметров приборов и электронных компонентов.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Компоненты и технологии» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

Другие статьи по данной теме:

Сообщить об ошибке