Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2014 №3

WARP-speed IGBT — достойная альтернатива высоковольтным MOSFET в мощных DC/DC-преобразователях с частотой до 150 кГц

Автушенко Кирилл  
Гавриков Вячеслав  

Сверхбыстродействующие WARP-speed IGBT-транзисторы компании International Rectifier хорошо знакомы разработчикам силовой электроники. Они разрабатывались в качестве альтернативы MOSFET в приложениях с рабочей частотой до 150 кГц. Примером таких приложений являются импульсные DC/DC-источники питания (ИП). Цель статьи — анализ перспективности использования WARP-speed IGBT c учетом обобщенных теоретических и практических данных.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Компоненты и технологии» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

Другие статьи по данной теме:

Сообщить об ошибке