Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2013 №8

Обзор новых MOSFET и IGBT компании ON Semiconductor

Калачев Александр  
Сафиуллина Гузелия  

Современная силовая электроника практически немыслима без импульсных преобразователей энергии — корректоров коэффициента мощности, преобразователей напряжения, инверторов, драйверов электродвигателей и др. В основе каждой из этих схем лежит силовой транзистор, чье состояние изменяется согласно требуемой функции управления. Во многом от характеристик транзистора зависит эффективность работы импульсной схемы — это потери транзистора на переключение и проводимость, а также ток управления транзистором. Значения рабочего тока и напряжения в импульсных схемах лежат в широких пределах, и существует постоянная тенденция к увеличению плотности преобразуемой энергии.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Компоненты и технологии» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

Сообщить об ошибке