Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2003 №7

Семейство SuperMESH. Новая серия NK высоковольтных MOSFET силовых транзисторов

Белялов Сергей  
Шелохнев Александр  

Фирма STMicroelectronics, исследовав возможности технологии Mesh Overlay, разработала и оптимизировала серию транзисторов SuperMESH. В транзисторах этой серии между выводами затвора и истока были добавлены защитные стабилитроны.

Первыми транзисторами из этой серии стали STP13NK60Z, 600-вольтный MOSFET с типовым сопротивлением «сток — исток» в открытом состоянии RСИ.отк, равным 460 мОм, и 500-вольтный STP14NK50Z с сопротивлением 330 мОм. Оба транзистора выпущены в корпусе ТО-220.

Транзисторы MOSFET серии SuperMESH (семейство NK) отличаются от предыдущего поколения транзисторов более низким сопротивлением «сток—исток» в открытом состоянии. Таким образом, потребитель может получить дополнительную экономию за счет использования меньшего радиатора, что ведет к экономии места на плате, упрощению технологии, уменьшению массы и габаритов изделия и т. д.

Семейство SuperMESH имеет встроенные встречные стабилитроны между выводами затвора и истока, что защищает переход от электростатических разрядов и выбросов напряжения во время переходных процессов. Встроенные стабилитроны устраняют необходимость установки внешних защитных компонентов. Уменьшение порогового напряжения UЗИ.пор c 2 до 1,5 В позволяет упростить цепь управления.

Конкретные RСИ.отк значения приведены в таблице 1, в которой сравниваются транзисторы SuperMESH STP13NK60Z и транзисторы предыдущего поколения STP9NB60 и STP9NC60. Размер кристаллов у обоих транзисторов сопоставим.

Таблица 1

Следующая таблица дает детальное сравнение для транзисторов с одинаковым RСИ.отк Увеличение кристалла с 25 до 34 мм² в корпусе TO-220 и D2PAK при том же самом уровне напряжения (600 В) позволило снизить сопротивление «сток — исток» в открытом состоянии до значения менее 0,4 Ом.

Таблица 2

Применение

Транзисторы SuperMESH находят применение в таких областях, как бесперебойные источники питания, адаптеры, зарядные устройства, корректоры коэффициента мощности, электронные балласты ламп и лампывспышки.

Таблица 3. Семейство SuperMESH

Развитие высоковольтной технологии

За последние пять лет фирмой STMicroelectronics были получены высокие результаты в области улучшения и оптимизации транзисторов MOSFET в диапазоне напряжения более 400 В. Серия NB (также упоминающаяся как PowerMESH I) все еще считается идеальным компромиссом между рабочими характеристиками и конкурентоспособностью.

Развитие рыночной ситуации и наличие спроса привели к созданию второго поколения транзисторов — NC, или серия PowerMESH II. В них было улучшено соотношение «параметры — цена» в сторону увеличения конкурентоспособности. Этот шаг позволил укрепить позицию STMicroelectronics на рынке производителей электронных компонентов. Следующий этап в развитии технологии (PowerMESH III) был осуществлен для расширения ряда транзисторов с напряжениями 700, 800, и 900 В (ряд NCxxZ), которые также имеют встроенные встречные стабилитроны между выводами затвора и истока.

Разработка и промышленное развитие революционной технологии MDmesh привели к улучшению сопротивления «сток — исток» в открытом состоянии и уникальным параметрам переключения.

Скачать статью в формате PDF  Скачать статью Компоненты и технологии PDF

 


Сообщить об ошибке