Микросхемы памяти от Fujitsu Semiconductor

№ 6’2014
PDF версия
Память FRAM (Ferroelectric RAM, FeRAM) — оперативная память, в которой для обеспечения энергонезависимости используется слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя. Благодаря тому что FRAM может надежно хранить записанные данные даже при внезапных сбоях источника питания (ИП) или при перебоях в питании, возможно обеспечить защиту информации и регистрируемых данных, записанных непосредственно перед выходом из строя ИП. С тех пор как Fujitsu Semiconductor начала массовое производство FRAM в 1999 г., эти особенности привели к ее широкому использованию в таких областях, как оборудование для управления производством, измерительная аппаратура, банковские терминалы и медицина.

MB85RC1MT микросхема памятиMB85RC1MT

 

Fujitsu Semiconductor разработала новую 1‑Mбит память FRAM с последовательным интерфейсом I2C. Данная память подходит для использования в системах автоматизированного управления производством, измерительного и промышленного оборудования.

Микросхема работает при напряжении питания 1,8–3,3 В в температурном диапазоне –40…+85 °C. Что касается рабочей частоты, изделие поддерживает «высокоскоростной» режим, который позволяет производить чтение и запись при частоте 3,4 MГц, а также работать при 1 MГц с той же скоростью, как и обычные типы памяти EEPROM. Изделие гарантирует 10 трлн перезаписей, что намного превосходит возможности EEPROM, и поддерживает частую перезапись информации, например при регистрации данных, поступающих в реальном масштабе времени, для изделий с интерфейсами I2C и др. К тому же в тех случаях, где ранее применялись память EEPROM и микроконтроллеры, уже есть возможность использовать FRAM, что позволит производить высокоточный захват данных при высокочастотной регистрации (рис. 1) и понижении потребления мощности во время записи данных (рис. 2).

Время до исчерпания гарантированного количества перезаписей для различных видов памяти

Рис. 1. Время до исчерпания гарантированного количества перезаписей для различных видов памяти

Потребляемая при записи энергия - микросхема памяти

Рис. 2. Потребляемая при записи энергия

Изделия с FRAM предлагаются в принятых промышленностью восьмивыводных корпусах SOP, так что они могут заменить память EEPROM или последовательную flash-память, используемые в управлении производством, измерительном или промышленном оборудовании, без существенных изменений дизайна печатных плат.

 

MB85R4M2T

MB85R4M2TКомпания Fujitsu выпустила новую 4‑Mбит FRAM-память, которой можно заменить SRAM. Настоящее изделие также представляет собой энергонезависимый тип памяти, который позволяет сохранять данные даже при отключении питания. Основные области применения — промышленное и офисное оборудование.

Благодаря тому что для нового вида памяти используется 44‑контактный TSOP-корпус, совместимый со стандартной SRAM, последнюю можно заменить без особых модификаций печатных плат в любых применениях, где требуется быстрый доступ к записи в память, таких как промышленное и офисное оборудование, медицинская аппаратура. А благодаря тому  что сохраненные данные не требуют питания от батарей, аппаратная часть становится более компактной, менее энергоемкой и стоит дешевле. Кроме того, монтажная площадка для микросхемы и связанных с ней компонентов на печатной плате оборудования может быть уменьшена на 50% и более (рис. 3).

Сравнение монтажной площадки

Рис. 3. Сравнение монтажной площадки

Потребление мощности для сохранения данных

Рис. 4. Потребление мощности для сохранения данных

Память SRAM требует энергии для удержания данных в памяти при отключении основного ИП, потребляя (по грубой оценке) 15 мкВт. FRAM вообще не потребляет электроэнергию при отключении (рис. 4). Отсутствие необходимости в использовании ИП не только снижает конечную стоимость изделия, но также исключает периодические затраты, связанные с заменой батарей и обслуживанием, уменьшая общую стоимость как разработки, так и эксплуатации (рис. 5).

Сравнение общей стоимости разных видов пямяти

Рис. 5. Сравнение общей стоимости

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *