Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2014 №6

Микросхемы памяти от Fujitsu Semiconductor


Память FRAM (Ferroelectric RAM, FeRAM) — оперативная память, в которой для обеспечения энергонезависимости используется слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя. Благодаря тому что FRAM может надежно хранить записанные данные даже при внезапных сбоях источника питания (ИП) или при перебоях в питании, возможно обеспечить защиту информации и регистрируемых данных, записанных непосредственно перед выходом из строя ИП. С тех пор как Fujitsu Semiconductor начала массовое производство FRAM в 1999 г., эти особенности привели к ее широкому использованию в таких областях, как оборудование для управления производством, измерительная аппаратура, банковские терминалы и медицина.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Компоненты и технологии» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

Другие статьи по данной теме:

Сообщить об ошибке