Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2003 №6

SuperRAM от AMIC Technology: микросхемы памяти

Лепихин Игорь


Компания AMIC Technology уже достаточно известна на российском рынке микросхем памяти. Будучи последователем знаменитой UMC Group, компания AMIC Technology продолжает идти на гребне волны в производстве полного спектра продукции памяти. Что же касается применения микросхем памяти, то говорить об этом много нет смысла - она используется везде. И если с постоянной памятью все более или менее понятно, то выбор оперативной памяти является довольно сложной задачей. Сколько существует микросхемотехника, столько же существует вопрос, что лучше - медленная, трудноуправляемая, но дешевая динамическая память либо быстрая, напрямую сопрягаемая с процессором, но дорогая статическая память? Возможно, теперь есть компромиссное решение.

Принцип работы статической памяти

Статическая память называется статической именно потому, что информация в ней «статична», то есть, что я туда положил, то я оттуда и возьму через любой промежуток времени. Такая статичность достигается за счет использования в качестве базового элемента обычного триггера, собранного, например, на паре транзисторов.

P-N переходы транзисторов, на которые поданы постоянные смещения, надежно держат разность потенциалов, либо питание, либо землю (без учета падения напряжения на самом переходе), и возможно лишь два стабильных состояния, условно называемые «0» и «1». Располагаются транзисторы на кремниевой подложке, внутри которой формируются P-N переходы.

Таким образом, простейшим статическим элементом памяти емкостью 1 бит можно считать триггер, построенный на четырех P-N переходах. Теперь, если эти триггеры рассортировать, скажем, по 8 и на каждый из них вывести ножку дешифратора 3×8, то получится простейшая ячейка памяти емкостью 1 байт, которую уже можно адресовать, подав соответствующее значение на дешифратор. Выстроив линейку из таких дешифраторов и применив к ней дешифратор более высокого порядка, мы уже получим полноценную микросхему статической памяти. Скорость выборки данных из статической памяти будет определяться лишь временем переходного процесса в полупроводниках, а скорость эта довольно большая. Поэтому время доступа к статической памяти исчисляется единицами наносекунд. Что же касается энергопотребления, то оно будет определяться в основном током через P-N переходы. Ну и наконец, наиболее привлекательной стороной статической памяти является возможность прямого сопряжения с процессором, так как адресация осуществляется напрямую по шине адреса с указанием номера (адреса) ячейки.

При всех плюсах у статической памяти есть достаточно серьезные недостатки. Что же получится, если мы захотим сделать статическую память очень большого объема? Для этого, помимо монтажа огромного количества триггеров, нужно как-то выворачиваться с дешифратором на огромное количество выводов. Не для кого ни секрет, что сложность дешифратора растет с увеличением количества адресуемых объектов. Дешифратор 1×2 выполняется на одном триггере с прямым и инверсным выходами, 2×4, уже на 4-х элементах, а попробуйте сделать дешифратор 10×1024! А это всего 1 килобит! Применяется каскадирование дешифраторов, но от этого страдает скорость. Сделать можно, конечно же, все, но за это надо платить, что и доказывается стоимостью быстрой статической памяти большого объема.

Принципы работы динамической памяти

Еще Майкл Фарадей, проводя опыты по прохождению электрического тока через конденсатор, заметил, что последний способен хранить информацию о начальных условиях. Это свойство конденсатора, или просто емкости, и используется при построении элемента динамической памяти. Рассмотрим незаряженный конденсатор, когда разность потенциалов между его клеммами равна нулю. Приложим на некоторое время к конденсатору напряжение, равное напряжению питания. А что значит «некоторое время»? А это такое время, за которое заряд успеет перетечь с входных клемм на обкладки конденсатора. По истечении этого времени отключим конденсатор от нашего источника. Теоретически этот конденсатор будет хранить наше напряжение бесконечно долго, таким образом становясь подобным триггеру на двух транзисторах.

Все это было бы хорошо, если бы не реальная жизнь. В качестве диэлектрика используется оксидная пленка какого-нибудь металла (скажем, алюминия). Эта диэлектрическая пленка обладает хоть и малой, но проводимостью, а следовательно, конденсатор начинает разряжаться через эту оксидную пленку, тем самым выделяя на ней тепло и теряя информацию. Как только напряжение на емкости достигает минимально допустимого значения, мы вновь подключаем к конденсатору наше напряжение питания и вновь заряжаем его, после чего отводим клеммы. Вот эта процедура и есть всем известная и ненавистная процедура регенерации динамической памяти, которую каждый определенный промежуток времени проводит контроллер динамической памяти.

Для адресации динамической памяти используются не прямые адресные сигналы процессора, а адресные сигналы процессора, пропущенные через контроллер динамической памяти и еще сигналы CAS и RAS, вырабатываемые контроллером. Динамическая память имеет матричный принцип строения, и сигнал CAS стробирует выборку колонки, а сигнал RAS стробирует выборку ряда в этой колонке. Без сигналов CAS и RAS динамическая память становится бесполезной, так как способна хранить информацию без регенерации всего в течение нескольких микросекунд.

На первый взгляд, в динамической памяти все плохо: и использование внешнего контроллера, и сложность управления. Но есть и значительные плюсы. Выполнить матрицу конденсаторов значительно проще, чем матрицу триггеров, достаточно «вставить» диэлектрики в нужных местах, а значит, динамическая память будет значительно дешевле статической. При необходимости создания динамической памяти большого объема тоже нет проблем, надо «вставить» диэлектрики чаще и быстрее проводить регенерацию. Поэтому динамическая память и получила большее распространение, чем статическая.

Динамическое ядро + статический интерфейс = SuperRAM

Когда-нибудь все мечты становятся реальностью. Мечтал человек получить динамическую память со статическим интерфейсом — и получил SuperRAM от AMIC Technology. Идея здесь предельно проста. Если для управления динамической памятью требуется дополнительный контроллер, то почему бы не встроить его в саму микросхему памяти. У читателя резонно возникнет вопрос: зачем это нужно? Ведь в современных микропроцессорах и микроконтроллерах есть интерфейсы динамической памяти? Отвечаю: да, вы правы, но микроконтроллеры, имеющие этот интерфейс, резко выделяются ценой, естественно, в большую сторону. Далее, в подавляющем большинстве случаев это 32-разрядные процессоры, работающие с большой тактовой частотой, и применение к ним динамической памяти по меньшей мере нецелесообразно (если, конечно, не требуется больших объемов). Третье: большинство приложений до сих пор остались восьми- и шестнадцатиразрядными, где и контроллера DRAM нет, и быстродействие соответствующее, а вот объемы памяти зачастую требуются очень даже значительные. Вот именно для таких применений и существует SuperRAM от компании AMIC Technology.

Работа подобной памяти достаточно проста. Процедура регенерации динамического ядра SuperRAM происходит автоматически по истечении определенного времени (когда значения напряжения на емкостях упадут ниже критических), и стробирование происходит постоянно. При запросе процессором определенной ячейки адрес ее приходит на входной буфер микросхемы SuperRAM. И дальше, с первым же сигналом стробирования отправляется к ядру SuperRAM, из которого и происходит выборка значений. Для процессора не имеет значения, что к нему подключена динамическая память, он работает с ней как с менее быстрой статической. Преимущества SuperRAM налицо: прямое сопряжение с совершенно любым процессором или устройством, у которого есть шина данных, адреса и сигналы выбора и записи, не требуется подключения дополнительного контроллера, осуществляющего регенерацию, большой объем за счет присутствия динамического ядра, низкая стоимость. Для примера приведем технические характеристики одного из последних представителей семейства SuperRAM от AMIC Technology — микросхемы A64E16161:

  1. Объем: 32 Мбит, организованных 2 M×16 бит.
  2. Время доступа по адресу: 70 нс.
  3. Время доступа к странице: 25 нс.
  4. Рабочий ток 20 мА, ток режима standby 10 мкА.
  5. Полная совместимость с интерфейсом SRAM. Не требуется регенерации или стробирования.
  6. Напряжение питания от 1,65 до 2,2 В.

Будущее SuperRAM

Сказать, что у подобного решения есть будущее — это ничего не сказать. Сейчас компания AMIC Technology достигла рубежа 32 Мбит, но не намерена на этом останавливаться. Уже в начале 2004 года, используя технологию 0,13 мкм, планируется начать серийное производство микросхем серии SuperRAM емкостью 64 Мбит. Время доступа также будет существенно уменьшено, а питание 2,0 В для микросхем памяти является одной из передовых возможностей. По своим возможностям и по стоимости такие продукты могут создать конкуренцию уже имеющимся модулям памяти, таким, как SIMM, DIMM, SDRAM и даже DDR, что является немаловажным при проектировании систем нового поколения.

Скачать статью в формате PDF  Скачать статью Компоненты и технологии PDF

 


Другие статьи по данной теме:

Сообщить об ошибке