Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2002 №1

Микросхемы памяти производства Аlliance Semiconductor

Дмитриев Владимир  
Петров Андрей  

Корпорация Alliance Semiconductor является одним из наиболее известных производителей полупроводниковой памяти в мире. Продукция Alliance Semiconductor имеет ряд особенностей, привлекательных для отечественных разработчиков и производителей радиоэлектронной аппаратуры — быстрая адаптация к требованиям рынка, ориентация на конкретные практические приложения, поддержка выпуска устаревающих типов микросхем в сочетании с научными поисками и развитием новых технологий.

Корпорация Alliance Semiconductor была основана в 1985 году и в настоящее время уверенно занимает место среди мировых лидеров в производстве микросхем памяти. Благодаря высокому качеству, хорошим техническим характеристикам и низкой коммерческой стоимости изделия ALSC пользуются заслуженной популярностью у разработчиков и производителей во всем мире. Продукция Alliance Semiconductor полностью соответствуют требованиям современного рынка, предъявляемым к высокоэффективным микросхемам памяти и логическим устройствам с большим объемом памяти.

Таблица 1. Параметры синхронной SRAM

Корпорация Alliance, используя свое подразделение Alliance Venture Management LLC, вкладывает капитал в пять инвестиционных фондов. В соответствии с данными Forbes, в 2000 году доход фирмы от продаж составил 641,8 млн долларов (прирост за год — более 500 процентов!).

В течение последних нескольких лет корпорации удалось гармонизировать стратегию своего развития, используемые технологии и инфраструктуру производства. Заложен фундамент для успешного развития в будущем. Стратегия производства заключается в инвестировании средств в оптимальное количество производителей кристаллов, что позволяет гибко реагировать на изменения рынка полупроводниковых компонентов. Кроме того, корпорация обеспечивает постоянное производство восьмидюймовых подложек на основании заключенных с рядом фирм долговременных соглашений.

Таблица 2. Параметры асинхронной SRAM

Номенклатура выпускаемых изделий включает в себя элементную базу, используемую в следующих областях производства:

  • Связь. Системы передачи, сотовые телефоны, системы УАТС, пейджеры, маршрутизаторы, коммутаторы, концентраторы, модемы, платы сетевого интерфейса.
  • Вычислительная техника. Персональные компьютеры, дисководы, мультимедиа-устройства, принтеры.
  • Системы измерения и тестирования. Промышленные, медицинские, стационарные и переносные системы.

Корпорация Alliance Semiconductor обслуживает эти и иные сегменты рынка, развивая и адаптируя технологии производства в соответствии с их требованиями, обращая значительное внимание на особенности технических приложений.

Таблица 3. Параметры SRAM Low Power

Номенклатура производимой продукции включает статическую оперативную память (SRAM), динамическую оперативную память (DRAM), флэш-память и комбинированные устройства «память–логика».

Продукция компании в настоящее время включает в себя быстродействующие SRAM (синхронные и асинхронные), в том числе и с малой потребляемой мощностью, которые размещаются в корпусах промышленных стандартов. Синхронные SRAM объемом от 64 K до 8 M (16 M — в процессе разработки) обеспечивают работу с тактовой частотой до 200 МГц.

Таблица 4. Параметры асинхронной DRAM

Эти изделия используются в вычислительной технике, при создании сетевых структур и пользовательских устройств, в технике передачи данных, в радиотехнике и контрольно-измерительных устройствах. Технические параметры некоторых видов синхронной SRAM представлены в табл. 1.

Асинхронные SRAM объемом от 64 К до 4 М обладают временем доступа до 10 нс и характеризуются малым энергопотреблением (до 10 мкА). Асинхронные SRAM объемом в от 4 до 8 М имеют время доступа 20 нс и током потребления в режиме ожидания 10 мкА (табл. 2).

Изделия SRAM изготовлены по технологии CMOS в пределах от 0,35 до 0,15 микрон. Новейшие SRAM произведены на основе шеститранзисторной, сверхнизкой по потребляемой мощности технологии Intelliwatt™ (табл. 3).

Кроме того, Alliance предлагает DRAM (EDO и FP) объемом до 64 M, применяемую в вычислительных системах и мультимедиа-устройствах. Разрабатываются технологии снижения потребляемой мощности и питающих напряжений, что особенно важно для портативных устройств. Здесь также применяется уникальная технология Intelliwatt™, позволяющая в типичных рабочих условиях ограничить потребляемый микросхемой ток значением 80 мкА (см. табл. 4 и 5).

Таблица 5. Параметры SRAM Low Power

Руководствуясь стратегией увеличения номенклатуры изделий, корпорация развивает производство Flash-памяти. Если первые образцы были ориентированы на источник питающего напряжения 5 В при объемах 1, 2 и 4 М, то сейчас верхний предел выпускаемого ряда достиг 8 М при существенном снижении удельного потребления энергии напряжением 3 В. В разработке находятся образцы объемом 16 и 32 М (табл. 6).

Таблица 6. Параметры Flash-памяти

Память этого типа применяется в сотовой телефонии, принтерах, устройствах ввода-вывода и т. Компанией развивается элементная база типа «память-логика» в вариантах «логика — SRAM», «логика — DRAM» и «логика — Flash-память», что позволяет производителям радиоэлектронной аппаратуры создавать устройства «на одном чипе», обладающие высокой эффективностью и характеризующиеся малым энергопотреблением. Корпорацией предлагаются специализированные элементы для вычислительных систем, устройств связи и устройств памяти большой емкости. Используются технологии CMOS с разрешением 0,35 и 0,25 микрон. Появление технологии 0,18 мкм позволит корпорации еще развить это направление.

Рис 1. Рост технологических показателей

Технологии производства элементов памяти направлены на создание оборудования, позволяющего получать матрицы уменьшенного размера, что приводит в повышению быстродействия, уменьшению энергопотребления и стоимости выпускаемых элементов. Кроме того, корпорация создала обширную библиотеку модулей для проектирования элементов памяти, которые могут масштабироваться, что приводит к сокращению времени цикла проектирования. Технология CMOS с начала 90-х годов развивается в направлении уменьшения размера строки матрицы.На рис. 1 приведены показатели достижений Alliance в области технологии производства.

Рис 2. Обозначения и маркировка

Корпорация Alliance Semiconductor непрерывно занимается разработкой, проектированием и внедрением новых типов изделий с улучшенными характеристиками, но в то же время не прекращается серийное производство старых разработок, что обеспечивает широкий ассортимент продукции и поддержку многих мировых производителей аппаратуры, не требующей применения высоких технологий. Эта ориентация прежде всего на нужды потребителя и является самой характерной чертой Alliance Semiconductor.

На рис. 2 представлены схемы обозначений и маркировки микросхем, используемые Alliance Semiconductor.

Скачать статью в формате PDF  Скачать статью Компоненты и технологии PDF

 


Другие статьи по данной теме:

Сообщить об ошибке