Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

Микросхемы памяти ОЗУ и ПЗУ

Радиационно-стойкое статическое ОЗУ — 1645РУ5У от компании «Миландр» , (Компоненты и технологии №9'2014)

Номенклатура запоминающих устройств российской разработки на отечественном рынке пока не столь многообразна по сравнению с номенклатурой основных мировых производителей. Однако в последние годы ведущие производители электронных компонентов в России выводят на внутренний рынок различные типы микросхем, не уступающих по характеристикам лучшим мировым достижениям. Одни из них приходят на смену устаревшим образцам, другие открывают новые направления, третьи расширяют линейку определенных функциональных направлений.

Микросхемы памяти от Fujitsu Semiconductor, (Компоненты и технологии №6'2014)

Память FRAM (Ferroelectric RAM, FeRAM) — оперативная память, в которой для обеспечения энергонезависимости используется слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя. Благодаря тому что FRAM может надежно хранить записанные данные даже при внезапных сбоях источника питания (ИП) или при перебоях в питании, возможно обеспечить защиту информации и регистрируемых данных, записанных непосредственно перед выходом из строя ИП. С тех пор как Fujitsu Semiconductor начала массовое производство FRAM в 1999 г., эти особенности привели к ее широкому использованию в таких областях, как оборудование для управления производством, измерительная аппаратура, банковские терминалы и медицина.

Новая 2-Мбит EEPROM от ON Semiconductor, (Компоненты и технологии №5'2014)

Новая память EEPROM CAT25M02VI-GT3 семейства CAT25M02 с рекордным объемом 2 Мбит предназначена для работы в жестких условиях промышленного производства. Микросхема может применяться в широком диапазоне температур и питающих напряжений. Она обладает низким энергопотреблением, высокой скоростью записи/чтения и предназначена для широкого круга применений: в интеллектуальных электросчетчиках, медицинских приборах (например, слуховых аппаратах), сетевых картах, системах цифровой обработки данных и различной промышленной электронике.

Модули оперативной памяти и SSD от Apacer , (Компоненты и технологии №4'2014)

Apacer Technology Inc. — мировой разработчик, производитель и поставщик серийно выпускаемых и специализированных решений на основе flash-памяти. Производство компании находится на Тайване, однако основными рынками сбыта являются Япония, США и Европа. Apacer имеет два подразделения, ориентированных соответственно на потребительский рынок и на спецприменения: промышленность, авиакосмическая отрасль, военный сектор.

Энергонезависимая память будущего Fujitsu FRAM , (Компоненты и технологии №4'2014)

Свойства сегнетоэлектрической памяти FRAM уникальны: она сочетает в себе преимущества традиционных энергонезависимых ячеек и быстродействующих ячеек оперативной памяти. С экономической точки зрения это весьма перспективная технология.

Сегментация EEPROM-памяти микросхем FTDI на примере ft232h , (Компоненты и технологии №3'2014)

В статье рассматривается назначение полей энергонезависимой памяти EEPROM, применяемых для конфигурации микросхем фирмы FTDI, а также совместимость конфигурации микросхем внутри серии.

Энергонезависимые запоминающие устройства компании Macronix. Особенности и параметры микросхем flash-памяти, (Компоненты и технологии №6'2013)

Окончание. Начало в № 5`2013
Вторая часть статьи расскажет об одной из новейших разработок компании - микросхемах последовательной NOR flash-памяти семейства MXSMIO (Macronix Serial Multi-I/O) и многопортовых микросхемах последовательной flash-памяти с низковольтным питанием.

Энергонезависимые запоминающие устройства компании Macronix. Особенности и параметры микросхем flash-памяти, (Компоненты и технологии №5'2013)

Компания Macronix International Co., Ltd. (технопарк Синчу, Тайвань), основанная в 1989 году, является ведущим разработчиком и производителем микросхем энергонезависимой памяти. Основатель компании — доктор Мин Ву (Dr. Miin Wu), имеющий степень магистра Стэнфордского университета в области науки и техники, в настоящее время занимает посты председателя и генерального директора компании (Chairman & CEO).

Микросхемы памяти компании ON Semiconductor. Часть 2 , (Компоненты и технологии №4'2013)

Продолжение. Начало в № 3 '2013
Для хранения больших объемов информации, например BIOS или даже целиком операционной системы (ОС), чаще всего применяется flash-память, характеризующаяся умеренным быстродействием и большим временем хранения информации. Flash-память чаще всего имеет либо параллельный интерфейс, либо интерфейс SPI, позволяющие считывать большие объемы информации с высокой скоростью. Быстродействующая память с последовательным интерфейсом (Serial SRAM) чаще всего используется в качестве буферной в различных устройствах обработки информации, например MP3‑кодеках. Микросхемы Serial SRAM имеют небольшой объем и снабжаются SPI-интерфейсом — для сокращения количества линий обмена данными без потери производительности.
В статье описаны микросхемы памяти компании ON Semiconductor (ONS) с интерфейсом SPI.

Микросхемы памяти компании ON Semiconductor. Часть 1, (Компоненты и технологии №3'2013)

В современных электронных устройствах часто возникает необходимость длительного хранения небольшого количества параметров, например MAC-адресов различных сетевых устройств, настроек параметров изображения телевизоров и т. п. Эти параметры могут быть заданы заводом в процессе производства устройства или пользователем в процессе эксплуатации. Для хранения подобного сорта информации наиболее часто используются микросхемы электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств (EEPROM). Этот тип микросхем отличается умеренным быстродействием, небольшим энергопотреблением и большим временем хранения информации. EEPROM выпускается с различными 2‑ и 3‑проводными интерфейсами. В статье описаны микросхемы памяти компании ON Semiconductor (ONS) с последовательным интерфейсом I2C и микросхемы супервизоров напряжения питания со встроенной EEPROM.

Защищенные накопители флэш-памяти Fischer Connectors: компактное решение для безопасного хранения данных в жестких условиях, (Компоненты и технологии №2'2013)

Флэш-накопители Fischer Connectors — чрезвычайно крепкие и надежные носители информации с интерфейсом USB, специально созданные для работы в жестких условиях эксплуатации (военный комплекс, нефтегазовая промышленность, подводная техника, комплексы защиты информации). Они прежде всего будут интересны разработчикам и производителям аппаратуры, для которых важны безопасность передачи и хранения данных, механическая прочность и компактность.

Твердотельные накопители компании SMART Modular Technologies, (Компоненты и технологии №2'2012)

В современном мире прогресс технологий, особенно в области, связанной с электроникой, достигает часто невиданных темпов. То, что вчера еще казалось последней новинкой, — сегодня безнадежно устаревает. Однако в некоторых сферах процесс модернизации касается только их технологической ипостаси и мало затрагивает фундаментальные основы. К таким технологиям можно отнести и принцип хранения данных на магнитных носителях путем разнородного намагничивания доменов вещества. Именно этот принцип уже много лет (примерно с начала 1970‑х) широко используется в жестких дисках, применяемых для хранения данных в различных вычислительных устройствах. И хотя существуют перспективные разработки в этой области, направленные на дальнейшее увеличение плотности записи (например, термонамагничивание), новой технологией, грозящей потеснить HDD, являются твердотельные накопители SSD (Solid State Drive).

Микросхемы специального назначения производства ОАО «Интеграл», (Компоненты и технологии №1'2012)

Микросхемы 1635РУ2 (128К×8 бит) и 1635РУ1 (32К×8 бит) относятся к оперативным запоминающим статическим устройствам, предназначенным для чтения, записи и хранения информации в блоках оперативной памяти вычислительных систем специального назначения. Интегральные микросхемы серии 5584 разработаны для использования в высокопроизводительных системах обработки информации и устройствах управления специального применения.

Твердотельные накопители компании Trident Space&Defense для авиационных, военных и ответственных индустриальных приложений, (Компоненты и технологии №1'2012)

Компания Trident Space&Defense (с января 2011 г. входит в корпорацию Telecommunication Systems) специализируется на производстве электронных компонентов в сферах, где при работе в критичных условиях определяющими являются показатели надежности. К серийной продукции Trident Space&Defense относятся твердотельные накопители информации (SSD), радиационно-стойкие модули памяти и многочиповые сборки по технологии SiP (System in a Package). Разработка, сертификация и изготовление SSD согласованы с нормами военного стандарта MIL-STD-810G, действующего с октября 2008 г. Соответствие этому стандарту предопределило применение SSD в авиации, а также в военных и ответственных индустриальных приложениях. Дополнительные испытания на работу в условиях низких температур (–65 °C) подтвердили функциональную работоспособность накопителей Trident Space&Defense. Показательным примером их применения в авиации является успешная реализация задач SSD (объединенных в RAID-массив) по хранению и обработке информации в американских беспилотных летательных аппаратах Global Hawk. В статье рассмотрены технические характеристики и особенности твердотельных накопителей компании Trident Space&Defense.

Технология Secure Digital для карт памяти, (Компоненты и технологии №12'2011)

Классификация, устройство и интерфейс карт памяти стандарта SD.

CATALIST от ON Semiconductor: качественная EEPROM без лишних материальных затрат, (Компоненты и технологии №9'2011)

Широта использования микросхем энергонезависимой EEPROM обуславливается известными преимуществами — высоким допустимым количеством циклов перезаписи, простотой внедрения и низкой стоимостью. Применение памяти такого вида может быть эффективно там, где необходимо запоминать относительно небольшие объемы часто обновляемой информации, а использование flash избыточно. Это хороший выбор для массовых проектов.

Новые микросхемы памяти FeRAM компании OKI Semiconductor, (Компоненты и технологии №9'2011)

Дальнейшее улучшение параметров микросхем памяти является одним из наиболее актуальных направлений современной микроэлектроники. Исторически знаменитый закон Мура выдвигался для интегральных микросхем обработки информации, однако приблизительно тот же экспоненциальный рост объемов наблюдается и в микросхемах памяти (что логично, учитывая, что закон касается взрывообразного роста количества транзисторов на кристалле, а транзисторы являются основой для ячеек памяти). Однако с ростом объема начинают возникать проблемы надежности (количества циклов перезаписи), а равно и скорости доступа к ячейкам памяти. В особенной мере данные вопросы касаются разработки энергонезависимой памяти. Вначале была изобретена EPROM с плавающим затвором и стиранием ультрафиолетом. Потом появилась EEPROM/Flash с плавающим затвором и стиранием электрическим импульсом. И вот недавно компания OKI Semiconductor сообщила о выпуске в коммерческую эксплуатацию чипов с совершенно другим принципом действия — FeRAM.

Сравнительный анализ радиационно-стойких микросхем ПЗУ, (Компоненты и технологии №10'2010)

В статье приводится сравнение характеристик радиационно-стойких микросхем ПЗУ различных производителей.

Микросхемы памяти FRAM для современных электронных средств, (Компоненты и технологии №9'2010)

Измерительная техника должна быть многофункциональной и малопотребляющей. Компания Ramtron предлагает микросхемы FRAM-памяти для применения в современных измерительных приборах. Изделия этой компании отличаются большим ресурсом работы, простотой использования и низким энергопотреблением. Благодаря этому они идеально подойдут для применения в различных бытовых счетчиках, системах автоматического съема данных (AMR), таксометрах, игровых и торговых автоматах и других устройствах.

Радиационно-стойкая статическая оперативная память от BAE Systems. Часть 2, (Компоненты и технологии №6'2010)

В предыдущем номере журнала обсуждалось четвертое поколение статических ОЗУ, выпускаемых корпорацией BAE Systems и доступных в России с 2009 года. Сегодня отечественные разработчики могут использовать следующее, уже пятое с 1983 года поколение микросхем памяти от BAE Systems. Очередное семейство, получившее название Monolithic, основано на принципиально новом чипе объемом 2 097 152 × 8 бит, который в свою очередь построен на новой технологии изготовления радиационностойких полупроводниковых изделий, известной как R15.

Радиационно-стойкая статическая оперативная память от BAE Systems. Часть 1, (Компоненты и технологии №5'2010)

Оперативная память — это неотъемлемая часть любого вычислительного устройства. Выбор «обычных» микросхем статической памяти (ОЗУ) весьма велик, и достигнутые производителями технические характеристики отвечают самым высоким требованиям коммерческих приложений. Совсем иначе обстоят дела с радиационно-стойкими микросхемами памяти. До сих пор требования по стойкости к факторам космического пространства вступали в явное противоречие с требованиями по производительности и объему микросхем. Доступное и в России с 2009 года четвертое поколение статических ОЗУ, выпускаемых корпорацией BAE Systems, предлагает новые возможности для разработчиков бортовой аппаратуры космических аппаратов и отчасти преодолевает проблемы предыдущих поколений радиационно-стойких микросхем памяти.

Система видеонаблюдения на базе микросхем Techwell: что нового?, (Компоненты и технологии №12'2009)

Статья посвящена одному из основных направлений компании Techwell — микросхемам для систем видеонаблюдения. Приведены два варианта построения базовых проектов для системы видеонаблюдения на микросхемах TW2700/TW2815 и TW286 4/TW288 0, с краткой характеристикой этих микросхем и выполняемых ими функций.

Технология R25 против радиации: новые продукты на российском рынке электроники для космических аппаратов , (Компоненты и технологии №12'2009)

До недавнего времени продукция одной из крупнейших в мире международных военно-промышленных корпораций BAE Systems в Российскую Федерацию официально не поставлялась. Однако времена меняются, и сегодня мы представляем весь широкий ассортимент радиационно-стойких микросхем, выпускаемых на заводах BAE.

ЗАО «БА Электроникс» (BA Electronics) эксклюзивно уполномочено импортировать и распространять на условиях ITAR ради-ационно-стойкие электронные компоненты, выпускаемые корпорацией BAE Systems (www.baesystems.com), обеспечивать выполнение гарантийных обязательств и техническую поддержку всех потребителей на территории России, а также республик, ранее входивших в состав СССР. Британская компания BAE Systems (до 1999 г. — British Aerospace) специализируется на создании вооружения и военной техники, в том числе боевых самолетов и подводных лодок. Сегодня она занимает второе место в мире по объему продаж оружия, уступая лишь американской корпорации Boeing. BAE самостоятельно разрабатывает и производит полупроводниковую элементную базу, как для собственных нужд, так и для продажи. Центр полупроводниковых технологий BAE, расположенный в США, выпускает все электронные компоненты, которые необходимы для создания бортовой радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов, и на протяжении многих лет является мировым лидером в области радиационно-стойких полупроводниковых нанотехнологий.

Промышленная флэш-память, (Компоненты и технологии №10'2009)

Слово «промышленная» не вполне точно отражает категорию флэш-памяти, которую мы собираемся рассматривать, но, к сожалению, определение «защищенная» уже занято для описания информационный безопасности с помощью аутентификации по отпечаткам пальцев, специальными методами шифрования или ограничением доступа обычным паролем. (Например, «защищенная флэшка» означает внешний накопитель на основе флэш-памяти с интерфейсом USB, в котором используется один или несколько способов информационной защиты.)

Ramtron: новые продукты с FRAM памятью, (Компоненты и технологии №2'2009)

Внедрять новое в условиях кризиса может показаться рискованным делом. Но для активных кризис — это повод находить новые возможности. В статье пойдет речь о новых продуктах Ramtron с FRAM памятью

Энергосберегающая память с длительным сроком службы для промышленных компьютеров и встроенных систем, (Компоненты и технологии №7'2008)

Промышленные приложения в сфере автоматизации и управления, метрических измерений, робототехники или безопасности требуют применения типов компонентов памяти и модулей, отличных от тех, которые используются в стандартных ПК или других офисных приложениях.

Уникальные технологии пробников для оценки целостности сигналов памяти DDR 1, 2 и 3, (Компоненты и технологии №6'2008)

Технология памяти DDR DRAM (динамическое оперативное запоминающее устройство с удвоенной скоростью передачи данных) является наиболее популярной технологией, широко применяемой в компьютерах, автомобилях, сетевых устройствах, устройствах связи, а также в медицинских и бытовых приборах благодаря высокой производительности и сравнительно невысокой цене. Не так давно потребность в более быстрой и экономичной памяти привела к разработке новой технологии DDR, которая относится уже к третьему поколению таких устройств — DDR3. Может показаться, что разработка или обновление схем для работы с новой технологией DDR выполняется сравнительно просто, однако не следует недооценивать ее архитектурной сложности.

F-RAM: практический шаг к универсальной памяти, (Компоненты и технологии №2'2008)

С освоением 130 нанометрового технологического процесса и выпуском микросхем F-RAM 4 Мбит, корпорация Ramtron опережает на несколько лет другие компании, которые внедряют альтернативные технологии энергонезависимой памяти с произвольным доступом (NV-RAM), такие как M-RAM или P-RAM. Производители одноплатных компьютеров и высокопроизводительных микроконтроллерных систем получили, наконец, универсальную память, проверенную временем, с высоким быстродействием, надежностью и с достаточным объемом массива F-RAM в одном кристалле.

Spansion: лидер рынка памяти NOR, (Компоненты и технологии №9'2007)

Интервью с Джозефом Хэрейнером менеджером по работе с дистрибьюторами в Центральной и Восточной Европе и странах СНГ компании Spansion - лидера рынка микросхем памяти NOR.

Микросхемы энергонезависимой памяти Atmel с последовательным интерфейсом, (Компоненты и технологии №9'2007)

Корпорация Atmel выпускает широкий спектр устройств энергонезависимой памяти, отличающихся назначением, интерфейсом, организацией и архитектурой. В ее ассортименте имеется несколько линеек микросхем как с постраничным доступом к памяти (Flash), так и с побайтным (EEPROM). В настоящее время развиваются линейки микросхем памяти с последовательным интерфейсом — как наиболее перспективные по сравнению с микросхемами с параллельным интерфейсом.

Что же с памятью FRAM стало?, (Компоненты и технологии №8'2007)

В статье сделан обзор новых FRAM-компонентов производства Ramtron, вышедших или планируемых к выпуску в 2007 году, а также рассмотрены перспективы развития технологии FRAM в ближайшем будущем.

Перспективные технологии производства памяти. Современное состояние, (Компоненты и технологии №12'2006)

В современной электронике применяется несколько видов полупроводниковой памяти, различающихся по емкости (объему), рассеиваемой мощности, уровню питания, внутренней организации, типу интерфейса, быстродействию, габаритам и другим характеристикам.

Высокотехнологичные микросхемы памяти компании 3D Plus, (Компоненты и технологии №9'2006)

В настоящее время на рынке модулей памяти сложилась непростая ситуация с новыми высокотехнологичными моделями. В частности трудности с поставкой NAND флэш-памяти высокой емкости от именитых производителей испытывают практически все российские поставщики.

Одна, но важная деталь. Память FRAM объемом 1 мегабит в производстве, (Компоненты и технологии №6'2005)

Нечасто публикации посвящаются одному компоненту. Для этого он должен быть либо очень сложным, как, например, процессор, либо уникальным, как FRAM FM20L08, о свойствах которой пойдет речь в этой статье.

Флэш-память Intel для интегрированных систем, (Компоненты и технологии №6'2005)

С момента появления флэш-памяти в 1984 году компания Intel была лидером в этой области промышленности, последовательно выводя на рынок новейшие технологии быстрее, чем любой другой производитель. В настоящее время Intel предлагает широкий спектр модулей флэш-памяти для интегрированных систем. Предлагаем Вашему вниманию обзор существующих семейств флэш-памяти Intel.

Программирование последовательных конфигурационных ПЗУ фирмы Altera по JTAG-интерфейсу, (Компоненты и технологии №2'2005)

Для упрощения процесса отладки фирма Altera предлагает метод программирования последовательных конфигурационных ПЗУ с помощью JTAG$интерфейса. Этот метод можно использовать и для загрузки конфигурации в FPGA, и для программирования последовательных конфигурационных ПЗУ.

О надежности и качестве ферроэлектрической памяти, (Компоненты и технологии №6'2004)

Новый производитель, компонент или технология на начальном этапе могут вызывать осторожное отношение конструкторов, специалистов по развитию и службы комплектования. Какие бы преимущества ни сулили они, на первом плане остаются стабильность, качество и надежность производства, поставок и компонентов. Следующий материал предоставляет сведения о надежности и качестве ферроэлектрической памяти — новейшей технологии энергонезависимой памяти с произвольным доступом, предлагаемой корпорацией Ramtron.

Организация памяти микропроцессорного ядра MicroBlaze, (Компоненты и технологии №5'2004)

В предшествующих публикациях цикла были представлены основные характеристики, особенности архитектуры , система команд семейства 32%разрядных микропроцессорных ядер MicroBlaze, предназначенных для реализации встраиваемых систем на основе ПЛИС серий FPGA фирмы Xilinx, и комплекс средств автоматизированного проектирования Xilinx Embedded Development Kit (EDK).

Эффективное использование преимуществ ферроэлектрической памяти, (Компоненты и технологии №5'2004)

За несколько лет интерес к FRAM возрос многократно, появилось множество публикаций об этой технологии и продукции Ramtron, выпускаемой уже более 10 лет. Тем не менее пока еще нельзя назвать ее фундаментальной и общеизвестной. FRAM — энергонезависимая память с произвольным доступом — объединяет свойства, ранее присущие разным компонентам и должна повлечь изменения в типовых, широко применяемых решениях. Новый инструмент должен дать новые идеи, открыть новые возможности для создания современных электронных приборов. Некоторые из них предложены в этой статье.

Сравнение новых технологий энергонезависимой памяти, (Компоненты и технологии №4'2004)

Новейшие технологии энергонезависимой памяти уже вторглись в области применения, где много лет доминируют Flash, SRAM и DRAM. Предлагаем проанализировать, какая из них имеет наибольшие шансы успешно конкурировать с массовыми типами памяти и вытеснить их со временем.

Микросхемы памяти компании STMicroelectronics. Часть 4, (Компоненты и технологии №3'2004)

В статье продолжается рассмотрение различных видов памяти, разрабатываемых и производимых компанией STMicroelectronics, одним из мировых лидеров по производству электронных компонентов, в том числе микросхем памяти, обладающей уникальной технологией производства Flash-памяти и программируемых систем памяти на одном кристалле.

Микросхемы памяти компании STMicroelectronics. Часть 3, (Компоненты и технологии №2'2004)

В статье продолжается рассмотрение различных видов памяти, разрабатываемых и производимых компанией STMicroelectronics, одним из мировых лидеров по производству электронных компонентов, в том числе микросхем памяти, обладающей уникальной технологией производства Flash-памяти и программируемых систем памяти на одном кристалле (Микросхемы памяти EPROM компании STMicroelectronics, №6 2003; Микросхемы памяти EEPROM и Flash компании STMicroelectronics, №7 2003).

Проектирование памяти с чередованием адресов, (Компоненты и технологии №2'2004)

Использование так называемой расслоенной памяти (interleaved memory, память с чередованием адресов) — это эффективный способ увеличения пропускной способности системы. Высокая эффективность памяти такого типа объясняется 2 факторами: оптимизацией компактности кода доступа к данным и уменьшением числа конфликтов при доступе к памяти. В этой работе представлена система проектирования, которая учитывает оба способа оптимизации для нахождения минимального числа банков памяти для заданных ограничений разрабатываемой встроенной системы. В этой среде разработки используются такие способы оптимизации, как модификация циклов по работе с данными и изменение способа хранения данных для более быстрого и компактного доступа к этим данным; выборка потоков данных, определение конфликтов доступа, анализ размещения данных и определение оптимальной очередности доступа к данным. Экспериментально показано, что использование описываемой разработки приводит к созданию систем с меньшими аппаратными требованиями, чем без оптимизации.

M41ST87 – новая жизнь кассовых аппаратов: новая микросхема памяти STMicroelectronics, (Компоненты и технологии №9'2003)

Компания STMicroelectronics, один из ведущих производителей электронных компонентов для систем защиты информации, представила новую микроссхему памяти типа SUPERVISOR, ориентированный на приложения, предъявляющие исключительно высокие требования к защите данных. M41ST87 включает в себя контур «Tamper Detect» (определение фальшивки) со стиранием памяти, что позволяет использовать микросхему как устройство для «защищенных приложений», таких, как кассовые аппараты на торговых терминалах или считыватели для кредитных карт. В устройство также интегрирован контроллер энергонезависимой памяти, последовательные часы реального времени, а также минипроцессор. При этом все это выполнено на 28-выводном кристалле SOIC, включающем также генератор 32 кГц. Будучи доступным в 3- и 5-вольтовом исполнении, M41ST87 включает в себя множество общих функций и использует в качестве дублирующего внешнего источника батарею, которая обычно применяется во многих устройствах.

Микросхемы энергонезависимой памяти: накануне революции, (Компоненты и технологии №9'2003)

Почти полвека назад энергонезависимая память впервые была реализована в виде полупроводникового элемента. По мере развития полупроводниковых технологий в целом, совершенствовались технологии и этой группы устройств. Производители в борьбе за рынок стремились превзойти друг-друга в повышении качества микросхем памяти. Так было положено начало гонкам длиною почти в пол века, конца которым по-прежнему нет и сегодня. Поскольку до недавнего времени обеспечить должный уровень всех основных параметров в одном запоминающем устройстве не представлялось возможным, то приходилось искать компромиссное решение. Прогресс в технологии микроэлектронных приборов вывел на рынок множество различных типов запоминающих устройств. Хорошо известны такие типы, как ROM, EPROM, EEPROM, Flash и NVSRAM.

Микросхемы памяти компании STMicroelectronics. Часть 2, (Компоненты и технологии №7'2003)

В статье продолжается рассмотрение различных видов памяти, разрабатываемых и производимых компанией STMicroelectronics (ST), одним из мировых лидеров по производству электронных компонентов, в том числе микросхем памяти, и обладающей уникальной технологией производства Flash-памяти и программируемых систем памяти на одном кристалле.

Надежность стального капкана. Энергонезависимая память Simtek, (Компоненты и технологии №7'2003)

О компонентах памяти написано достаточно много (и даже более). Но прогресс не стоит на месте, в том числе и память. Поэтому, учитывая современные тенденции развития информационных технологий, рассмотрим память для мобильных систем, одними из важнейших параметров которой являются надежность и быстродействие.

SuperRAM от AMIC Technology: микросхемы памяти, (Компоненты и технологии №6'2003)

Компания AMIC Technology уже достаточно известна на российском рынке микросхем памяти. Будучи последователем знаменитой UMC Group, компания AMIC Technology продолжает идти на гребне волны в производстве полного спектра продукции памяти. Что же касается применения микросхем памяти, то говорить об этом много нет смысла - она используется везде. И если с постоянной памятью все более или менее понятно, то выбор оперативной памяти является довольно сложной задачей. Сколько существует микросхемотехника, столько же существует вопрос, что лучше - медленная, трудноуправляемая, но дешевая динамическая память либо быстрая, напрямую сопрягаемая с процессором, но дорогая статическая память? Возможно, теперь есть компромиссное решение.

Микросхемы памяти компании STMicroelectronics. Часть 1, (Компоненты и технологии №6'2003)

В статье рассказывается о принципах построения микросхем памяти и дается обзор различных видов памяти разрабатываемых и производимых компанией STMicroelectronics, одного из мировых лидеров по производству электронных компонентов, в том числе микросхем памяти, и обладающей уникальной технологией производства Flash-памяти и программируемых систем памяти на одном кристалле.

Микросхемы памяти с низким энергопотреблением от Аlliance Semiconductor, (Компоненты и технологии №4'2003)

Связь: системы передачи, сотовые телефоны, системы УАТС, пейджеры, маршрутизаторы, коммутаторы, концентраторы, модемы, платы сетевого интерфейса.

Сегнетоэлектрические FRAM-приборы производства Ramtron. Часть 2, (Компоненты и технологии №2'2003)

Ramtron International Corporation — стремительно развивающаяся компания, являющаяся разработчиком технологии FRAM и мировым лидером в сфере разработки и производства электронных компонентов по запотентованной фирмой технологии FRAM.

Молекулярная память и не только, (Компоненты и технологии №6'2002)

Развитие нанотехнологий предвещает революционные изменения в микроэлектронике. Широкий фронт научных иследований, заинтересованность крупных фирм в производстве молекулярных устройств обеспечивают быстрое развитие "молетроники".

Современные микросхемы памяти. Часть 2, (Компоненты и технологии №6'2002)

Мы продолжаем публикацию цикла статей, посвященных современным микросхемам памяти, в которых предпринимается попытка познакомить читателя с современной терминалогией в области подсистем памяти, основными разновидностями в области микросхем памяти, их особенностями, наиболее известными и крупными производителями микросхем и их продукцией.

Сегнетоэлектрические FRAM-приборы производства Ramtron. Часть 1, (Компоненты и технологии №5'2002)

Ramtron International Corporation - стремительно развивающаяся компания, являющаяся разработчиком технологии FRAM и мировым лидером в сфере разработки и производства электронных компонентов самого различного назначения по запатентованной фирмой технологии FRAM.

Микросхемы памяти ведущих производителей, (Компоненты и технологии №4'2002)

Развитие систем памяти имеет много аспектов. Ранее на страницах этого журнала автором в основном рассматривались технические вопросы развития памяти на микросхемах, тенденции и проблемы ее совершенствования [1]. Теперь мы проанализируем развитие номенклатуры и характеристик образцов элементной базы ряда ведущих фирм-производителей микросхем полупроводниковой памяти, продукция которых доступна потребителям России и стран СНГ. Будут использованы материалы новой книги о микросхемах памяти [2] и ряда других источников. В гораздо меньшей степени в статье затрагиваются последние научно-технические достижения, определяющие перспективное развитие систем памяти, из них будут выделены только те, которые, на наш взгляд, могут оказать уже в ближайшем будущем существенное влияние на развитие систем памяти, особенно микросхем памяти.

Некоторые типы памяти производства Samsung, (Компоненты и технологии №4'2002)

Наш век — век информационных технологий. Информацию получают, обрабатывают, передают. Информацию сохраняют. Сохраняют на века, на годы, на несколько дней и даже на доли микросекунд. Не последнюю роль в этом процессе играют микросхемы памяти.

Памяти много не бывает. Постоянные запоминающие устройства ПЗУ Holtek, (Компоненты и технологии №4'2002)

Среди электронных компонентов память занимает особое место: без постоянной памяти не загрузится компьютер, без ОЗУ не напишешь письмо, не поиграешь, не попадешь в Интернет. Отсутствие элементов памяти в средствах связи приведет к тому, что позвонить можно будет только по телефону с дисковым номеронабирателем (кто забыл, когда таким пользовался, попробуйте — удовольствие ниже среднего). И это только наиболее яркие примеры. Поэтому уделим внимание элементам памяти — они того заслуживают. Остановимся на постоянных запоминающих устройствах компании Holtek, применяемых в микропроцессорных системах.

Память от фирмы ATMEL: на все случаи жизни, (Компоненты и технологии №4'2002)

Фирма Atmel хорошо известна на мировом и российском рынке как производитель широкого спектра микросхем, содержащих энергонезависимую память на кристалле. Например, микросхемы программируемой логики серий ATF16V8/20V8/22V10 и AFT15xx содержат EEPROM ПЗУ конфигурации, микроконтроллеры АТ89С имеют Flash ПЗУ программ, а AVR-микроконтроллеры используют и Flash, и EEPROM на одном кристалле. В перечне микросхем фирмы Atmel есть, например, двухбанковая Flash-память, поддерживающая пакетный режим, а также «слоеные» микросхемы, где в одном корпусе, но на разных «слоях» размещаются кристаллы параллельной ПЗУ, последовательной ПЗУ и ОЗУ. Данная статья, не претендующая на исчерпывающую полноту изложения, посвящена микросхемам ПЗУ фирмы Atmel в «чистом виде».

Современные микросхемы памяти. Часть 1, (Компоненты и технологии №4'2002)

Подсистемы памяти являются неотъемлемой частью практически всех современных устройств вычислительной техники, за исключением, пожалуй, некоторых малых контроллеров.

Энергонезависимое ОЗУ, (Компоненты и технологии №4'2002)

При проектировании современных микропроцессорных систем разработчики зачастую сталкиваются с проблемами выбора подходящего типа запоминающего устройства. Зачастую к запоминающему устройству предъявляются противоречивые требования.

IDT: новые семейства памяти FIFO – TeraSync DDR и Multi-Queue, (Компоненты и технологии №3'2002)

С появлением третьего поколения сетей, построенного на базе технологий WDM(Wavelength Division Multiplexing), открылись новые возможности для использования пропускной способности волоконно-оптических линий связи, позволяя осуществить переход от стандарта ОС-192 (10 Гбит/с) к стандарту ОС-768 (40 Гбит/с).

DSM - системная память для процессоров Analog Devices, (Компоненты и технологии №2'2002)

Компания STMicroelectronics разработала и предлагает потребителям первую в мире системную память (DSM), чип которой обеспечивает законченное системное решение памяти с внутрисистемным программированием для цифровых сигнальных процессоров (DSP) семейства ADSP-218X компании Analog Devices.

Микросхемы памяти производства Аlliance Semiconductor, (Компоненты и технологии №1'2002)

Корпорация Alliance Semiconductor является одним из наиболее известных производителей полупроводниковой памяти в мире. Продукция Alliance Semiconductor имеет ряд особенностей, привлекательных для отечественных разработчиков и производителей радиоэлектронной аппаратуры — быстрая адаптация к требованиям рынка, ориентация на конкретные практические приложения, поддержка выпуска устаревающих типов микросхем в сочетании с научными поисками и развитием новых технологий.

DDS: прямой цифровой синтез частоты, (Компоненты и технологии №8'2001)

Некоторые DDS имеют возможность прибавлять к коду фазы, поступающему на ПЗУ, некоторую величину, хранящуюся в специальном регистре. Для этого в структуре DDS имеется дополнительный цифровой сумматор, включенный между накопителем фазы и адресными входами ПЗУ. Разрядность этого сумматора определяет разрядность управляющего кода фазы и, как следствие, фазовое разрешение. Например, DDS AD9854 имеет 14-разрядный регистр фазы. На второй вход сумматора подается код программирования фазы, который хранится в специальном регистре. Изменяя содержимое этого регистра, можно осуществлять фазовую модуляцию. Как и в случае с FSK, для PSK-модуляции в некоторых DDS имеется несколько регистров фазы, которые могут переключаться логическим сигналом, обеспечивая высокоскоростную фазовую модуляцию. Примером может служить DDS AD9853. В процессе квантования амплитуды всегда будет присутствовать ошибка, связанная с конечной разрядностью примененного ЦАП. Ошибка квантования приводит к обогащению выходного спектра побочными высокочастотными составляющими. При повышении разрядности ЦАП ошибка квантования уменьшается. Соответственно уменьшаются амплитуды связанных с этой ошибкой побочных компонентов. На рис. 10 показаны спектры выходного сигнала для 4- и 8-разрядного ЦАП.

Технологии FRAM третьего тысячелетия, (Компоненты и технологии №8'2001)

Тема этой статьи актуальна для всех, кто связан с производством полупроводников или программного обеспечения, и посвящена она технологии FRAM, которая приведет к глобальным революционным преобразованиям в области электроники. Новая технология уже сейчас открывает принципиально новые возможности для создания самых различных классов полупроводниковых приборов и, соответственно, расширяет сферу их применений. Что такое FRAM технология? Сегнетоэлектрическая память со случайным доступом (FRAM) является собственно быстродействующим полупроводником, который сохраняет информацию даже при отключении напряжения питания. FRAM имеет такую же скорость, как DRAM и SRAM, но, в отличие от них, не требует питания или использования батареи для сохранения данных. FRAM энергонезависима, подобно ROM-технологии. Однако ROM, базирующиеся на технологии типа EEPROM и Flash, имеют очень медленную скорость записи и изнашиваются после того, как были записаны небольшое количество раз. Кроме того при записи они потребляют относительно большую мощность. FRAM пишет быстрее, без задержек, имеет более высокую надежность и фактически никогда не изнашивается. В сущности, FRAM — энергонезависимая RAM, разработанная в рамках технологического сегнетоэлектрического проекта Ramtron и защищенная патентами.

Контроллеры с микроэнергопотреблением в распределенных системах управления, (Компоненты и технологии №7'2001)

Параметры энергопитания, безусловно, важны для любого электронного устройства, и в особенности для встраиваемых средств вычислительной техники. Рост объема электроники, в первую очередь устройств на микроконтроллерах в различных прикладных системах остро поставил задачу экономии электроэнергии.

Микросхемы памяти: прошлое, настоящее, будущее, (Компоненты и технологии №7'2001)

Работа современных электронных устройств зачастую определяется не только параметрами процессора, но и скоростью обмена данными внутри самого устройства.

IDT: многопортовая память: как она работает?, (Компоненты и технологии №5'2001)

К отличительным особенностям семейства Synchronous Dual-Port RAMs относятся: синхронный интерфейс с раздельными сигналами синхронизации CLK_R и CLK_L и внутренние счетчики (internal counters) для организации пакетного режима передачи данных.

Микросхемы многопортовой памяти фирмы IDT, (Компоненты и технологии №4'2001)

Многопортовая память — это статическое ОЗУ с двумя или более независимыми интерфейсами, обеспечивающими доступ к пространству памяти через разделенные шины адреса, данных и управления.

Микросхемы памяти и их применение, (Компоненты и технологии №4'2001)

Электронная промышленность всего мира уже выпустила и продолжает разработки все новых и новых типов микросхем памяти. Определенные требования, возникающие при изготовлении изделий электронной техники, вызывают потребность в приборах памяти, характеристики которых должны превосходить предшествующие разработки.

IDT: Память FIFO и ее применение, (Компоненты и технологии №2'2001)

Характерной особенностью памяти FIFO по сравнению с обычной памятью RAM или ROM является отсутствие адресных линий. Базовая архитектура FIFO представлена в виде массива (RAM ARRAY) с перемещаемыми при считывании и записи указателями начала (READ POINTER) и конца (WRITE POINTER) свободного пространства памяти.