Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2004 №8

Моделирование МОП-транзисторов. Методологический аспект

Денисенко Виктор


Преодоление полупроводниковой технологией 0,25-микронного рубежа предъявило новые требования к системам моделирования ИС. Теперь даже цифровые ИС требуют детального схемотехнического моделирования с применением точных компактных моделей. В статье описаны методологические проблемы построения компактных моделей МОП-транзисторов.

Статьи данных номеров доступны только в pdf-формате. Вы можете заказать старые номера журнала «Компоненты и технологии» в редакции. Извините за доставленные неудобства.

Скачать статью в формате PDF  Скачать статью Компоненты и технологии PDF

 


Другие статьи по данной теме:

Сообщить об ошибке