Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

2014 №9

Технология GaN быстро завоевывает новые рынки

Лидоу Алекс (Alex Lidow)  
Рейш Дэвид (David Reuch)  
Стридом Йохан (Johan Strydom)  

Перевод: Юрьев Святослав


Элементы силовой электроники на основе нитрида галлия (GaN) стремительно обретают популярность благодаря своей способности работать на частотах и скоростях переключения, значения которых лежат далеко за пределами возможностей силовых приборов на основе кремния. Дискретные компоненты на основе GaN могут функционировать при скоростях нарастания выходного напряжения вплоть до 70 В/нс, при этом на характеристики системы существенно влияют факторы, не связанные с активными силовыми компонентами, — такие как высокоскоростные драйверы затворов и компоновка печатных плат. В данной статье рассматривается семейство мощных полевых транзисторов (FET) на основе нитрида галлия (eGaN FET) с улучшенными характеристиками в области высоких частот, предназначенных для применения в высокочастотных вольт-добавочных преобразователях, работающих в мультимегагерцевом диапазоне. Эти устройства были разработаны для выполнения операций переключения высоковольтных напряжений мощных токов на высоких частотах.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Компоненты и технологии» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

Другие статьи по данной теме:

Сообщить об ошибке